Aus­stat­tung

Ge­rä­te­pool

Auf dieser Seite finden Sie eine Übersicht der am INA vorhandenen Anlagen und Geräte mit einer knappen Angabe der wichtigsten Merkmale. Bei Fragen zu den Möglichkeiten einzelner Geräte, scheuen Sie sich bitte nicht uns zu kontaktieren.

Li­tho­gra­phie

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

  • Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
  • Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen
Foto: Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

Karl Süss MA6 Maskaligner

  • NanoImprint mit SCIL Tooling für hybride Stempel
  • bis zu 6“-Substrate, bis zu 7“-Masken

Karl Süss MA4 Maskaligner

  • bis zu 4“-Substrate, bis zu 7“-Masken
  • Auflösung: Standard 800 nm, Optional bis 300 nm
Foto: Karl Süss MA4 Maskaligner

EVG Al-4 Maskaligner

  • bis zu 4“-Substrate, bis zu 5“-Masken
Foto: EVG Al-4 Maskaligner

Raith eLine Elektronenstrahlithographie

  • hochauflösend bis <20 nm Strukturbreite
  • 100 x 100 mm interferometrisch gesteuerter Tisch
  • Positionsgenauigkeit 2 nm in x- und y-Richtung
Foto: Raith eLine Elektronenstrahlithografie

De­po­si­ti­on

Roth & Rau Ionsys 1000 IBD

Ion Beam Deposition

  • Reinraumklasse 1
  • Multischichtsysteme (DBR, VCSEL usw.)
  • In-Situ-Kontrolle
  • Material: Metalle (z.B. Al, Zr, Cr), Oxide (z.B. ITO, TiO, SiO2), Nitride (z.B. SiN)
  • Prozessgase: Argon (Ar), Xenon (Xe), Sauerstoff (O2), Stickstoff (N2)
Foto: Roth & Rau Ionsys 1000 IBD

Varian GEN II MOD MBE

Molecular Beam Epitaxy

  • Epitaxie von Einkristallen
  • Schichtdickengenauigkeit in nm bzw, sub-nm Bereich
  • In-Situ-Kontrolle mittels RHEED
  • Ultra High Vacuum (10-8 bis 10-10 mbar)
  • Material: Gallium Ga), Indium (In), Aluminium (Al), Arsen (As), Silizium (Si), Beryllium (Be)
Foto: Varian GEN II MOD MBE

Pfeiffer PLS 500 Aufdampfanlage

  • Elektronenstrahl oder thermisch
  • Material: Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Platin (Pt), Aluminium (Al)
Foto: Pfeiffer PLS 500 Aufdampfanlage

Balzers BAK 600 Aufdampfanlage

  • Elektronenstrahl oder thermisch
  • Prozessgas: Argon (Ar)
  • Material: Nickel (Ni), Titan (Ti), Platin (Pt), Gold (Au), Germanium (Ge), Chrom (Cr)
Foto: Balzers BAK 600 Aufdampfanlage

Phönix Aufdampfanlage (Eigenbau)

  • thermisch
  • Material: Zink (Zn), Gold (Au)
Foto: Phönix Aufdampfanlage

Oxford Plasmalab 80 PECVD

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

  • Prozessgase: Silan (SiH4), Wasserstoff (H2), Ammoniak (NH3), Distickstoffoxid (N2O)
  • Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO), Silizium (Si)
Foto: Oxford Plasmalab 80 PECVD

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
 

  • Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
  • Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition) und Ätzen
Foto: Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

Tro­cke­nät­zen

Castor und Pollux RIE

Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

  • Prozessgase: Trifluormethan (CHF3), Schwefelhexafluorid (SF6), Sauerstoff (O2)
  • Material: Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO)
Foto: Castor und Pollux RIE

Oxford Plasmalab 80 Plus RIE

Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor

  • Prozessgase: Wasserstoff (H2), Methan (CH4)
  • für: Indium (In)-, Phosphor (P)-, Gallium (Ga)-, Arsen (As)-Verbindungshalbleiter (z.B. InP)
Foto: Oxford Plasmalab 80 Plus RIE

2 Oxford Plasmalab 100 ICP-RIE

Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching

  • ICP 1: mit Flourdonatoren für das Silizium-Tiefätzen (Bosch-Prozess)
  • ICP 2: mit Chlordonatoren für das Ätzen von Halbleitermaterialien (z.B. GaAs)
Foto: Oxford Plasmalab 100 ICP-RIE

TePla 200-G Plasmaverascher

  • Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
  • Prozessgas: Sauerstoff (O2)
Foto: TePla 200-G Plasmaverascher

diener electronic Nano Plasmaverascher

  • Zum Ätzen von Fotolacken und organischen Rückständen
  • Aktive Kühlung, Optische Endpunktkontrolle
  • Prozessgas: Sauerstoff (O2), Argon (Ar)
  • Leistung: 600 Watt
Foto: diener electronic NANO Plasmaverascher

Wei­te­re Ge­rä­te

Bal-Tec CPD 030 Kritisch-Punkt-Trockner

  • Prozessgas: Kohlendioxid (CO2)
Foto: Bal-Tec CPD 030 Kritisch-Punkt-Trockner

Xerion RTA

Rapid Thermal Annealing

  • Prozessgas: Argon (Ar)
  • Temperaturen bis 400°C
Foto: Xerion RTA

Ana­ly­tik

Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
 

  • Elektronensäule: hochauflösende (1,3 nm) Feldemission
  • Ionensäule: hochauflösend (4 nm), geeignet für Deposition (lokale Mikrodeposition)und Ätzen
Foto: Zeiss NVision 40 High End Cross Beam

Zygo NewView 5000 Weißlichtinterferometer

  • Vertikale Auflösung bis zu 0,1nm
  • Objektive: 5x Michelson, 50x Mirau
  • Stitching-Möglichkeit durch xy-motorisierten Probentisch
  • Erweiterter vertikaler Scanbereich bis zu 20mm
Foto: Zygo 5000 Weißlichtinterferometer

Leica DMR Mikroskop

  • bis 1000fache Vergrößerung
  • Kontrastverfahren: Hellfeld, Dunkelfeld, Differentieller Interferenzkontrast
  • Auflicht und Durchlicht
Foto: Leica DMR Mikroskop

SENTECH SENpro Spektroskopisches Ellipsometer

Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten
Spektralbereich: 370 nm -1050 nm

Foto: SENTECH SENpro Ellipsometer

Plasmos SD-2100 Ellipsometer

Schichtdickenmonitoring transparenter Schichten

Foto: Plasmos SD-2100 Ellipsometer

Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100

  • 3 nm-Auflösegenauigkeit
  • 0,03 - 10 mg Stylus-Aufdruckkraft
  • 1,2 mm max. Messbereich in z-Richtung
  • Analyse von Stufenhöhen, Schichtdicken, Rauheit, Welligkeit, Dünnschichtstress
Foto: Ambios Technology Oberflächenprofilometer XP-100

Sloan Dektak IIA Profilometer

  • 20 nm-Auflösegenauigkeit
Foto: Sloan Dektak IIA Profilometer

Rohde & Schwarz Spektrumanalysator FSB

  • Bandbreite: 9 kHz-30 GHz
Foto: Rohde & Schwarz Spektrumanalysator FSB

Agilent 86142 B Optischer Spektrumanalysator

  • Bandbreite: 600-1700 nm
Foto: Agilent 86142 B Optischer Spektrumanalysator