Qua­si-mo­no­li­thi­sche In­te­gra­ti­ons­tech­no­lo­gie für Hoch­fre­quenz­schal­tun­gen

Qua­si-mo­no­li­thi­sche In­te­gra­ti­ons­tech­no­lo­gie für Hoch­fre­quenz­schal­tun­gen

Abb: Diagramm

Ein Schwerpunkt der technologischen Forschungsarbeit des Fachgebiets Technische Elektronik liegt in der Kombination aus hybrider und monolithischer Integrationstechnologie für passive und aktive (Hochfrequenz-)Bauelemente, kurz quasi-monolithische Integrationstechnologie. Dabei werden hochwertige Chip-Leistungstransistoren (z.B. auf Galliumnitrid basierend) in kostengünstigem Siliziumsubstrat eingesetzt (bulk micromachining) und mittels Dünnfilmtechnologie (surface micromachining) kontaktiert. Passive Bauelemente (Widerstände, Spulen, Kondensatoren) können anschließend unter Verwendung der Dünnfilmtechnologie hergestellt werden, so dass ganze Schaltungen mit einem Siliziumsubstrat als Trägermaterial möglich sind.