Halb­lei­ter­phy­sik

An­ge­wand­te Halb­lei­ter­phy­sik (Wi­Se)

Dozent: Prof. Dr. Johann Peter Reithmaier

In­halt der Vor­le­sung

Die Vorlesung umfaßt 4 SWSt. (Vorlesungen und Übungen). Die Vorlesung ist gedacht für Studenten ab 5. Semester der Studienrichtungen "Nanostrukturwissenschaften " und "Physik Diplom " (Fach: Experimentalphysik oder Wahlfach). Grundkenntnisse in der Festkörperphysik sind wünschenswert. Die Grundlagen der Festkörperphysik werden jedoch soweit wiederholt, wie sie für das Verständnis der Halbleiterphysik notwendig sind.

Die Vorlesung vermittelt die Grundlagen der Halbleiterphysik und diskutiert beispielhaft die wichtigsten Bauelemente in der Elektronik, Optoelektronik und Photonik.

In der Vorlesung wird dazu auf folgende Stichpunkte eingegangen:

  • Kristallstrukturen
  • Energiebänder
  • Phononenspektrum
  • Besetzungsstatistik
  • Dotierung und Ladungsträgertransport
  • Streuphänomene
  • p-n Übergang
  • p-n Diode
  • Bipolartransistor
  • Thyristor
  • Feldeffekt
  • Schottky-Diode
  • FET
  • integrierte Schaltungen
  • Speicherbauelemente
  • Tunneleffekt
  • Tunneldiode
  • Mikrowellenbauelemente
  • optische Eigenschaften
  • Laserprinzip
  • Wellenausbreitung und -führung
  • Photodetektor
  • Leuchtdiode
  • Hochleistungs- und Kommunikationslaser
  • niedrigdimensionale elektronische Systeme
  • Einzelektronentransistor
  • Quantenkaskadenlaser
  • Quantenpunktlaser
  • Photonische Kristalle und Mikroresonatoren
  • Einzelphotonenquellen

Ter­mi­ne Wi­Se 2019/2020

Die erste Vorlesung findet am Donnerstag, den 17.10.2019 statt.

Donnerstag, 8.30 - 10.00 in Raum 1135, AVZ

Freitag, 9.15 - 11.00 in Raum 1135, AVZ

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