De­light

Ent­wick­lung kos­ten­güns­ti­ger Tech­no­lo­gi­en zur Her­stel­lung von Hoch­leis­tungs­te­le­kom­mu­ni­ka­ti­ons­la­sern

Die zwei wichtigsten Ziele des Projekts DeLight sind:

  • Entwicklung von oberflächengitterbasierenden Hochleistungs - DFB/DBR - Telekommunikationslasern;
  • Entwicklung ultraschnell direkt modulierter Laser (> 28 Gb/s Zwischenziel und > 43 Gb/s Endziel) mit einem vereinfachten Mehrsektionendesign, welche photonische Resonanzen hoher Ordnung zur Erweiterung der Modulationsbandbreite ausnutzen.

Der Ansatz des Projektes besteht darin, für beide Lasertypen eine gemeinsame technologische Fabrikationsplattform zu entwickeln, die auf Oberflächengittern und anderen Oberflächen-,Mikro- und Nanostrukturen basiert. Ein wichtiger Vorteil der Oberflächenstrukturierung zur Erhöhung der Leistungen und Funktionalität kantenemittierender Laser ist die Eliminierung der "regrowth stage", welche zu den Herstellungskosten beiträgt, sich auf die Laserleistungen auswirkt und die Ausbeute reduziert. Die Oberflächen-, Mikro- und Nanostrukturen werden durch kostengünstige und hocheffektive Nanolithografie geprägt werden, was zu einer Senkung der Herstellungskosten beitragen wird.

Die entwickelte oberflächenorientierte Technologie wird in hohem Maße unabhängig von der unterliegenden Halbleiterstruktur sein und für die Herstellung von InP- und GaAs-basierender kantenemittierender Laser (EELs), die in den Bereichen von 1300 nm und 1550 nm arbeiten, angewendet werden. Obgleich fortschrittliche Materialen ( wie verdünnte Nitride ) sowie niedrigdimensionale Strukturen für die Entwicklung der aktiven Zonen der Laser erforscht werden werden, wird die oberflächenorientierte Technologie direkt auf Epitaxieschichtstrukturen, die bereits in standardmäßigen Fabry-Perot-Telekommunikations-EELs getesten wurden, anwendbar sein. Somit wird der entwickelte oberflächenorientierte Ansatz den einzigartigen Vorteil besitzen, die Herstellung von Hochleistungslasern aus bereits getesteten und geeigneten vorhandenen Wafern zu ermöglichen.

Projektpartner:

  • (Leitung) Optoelektronik Forschungszentrum, Technische Universität Tampere, Finnland
  • Institut für Nanostrukturierung und Analytik, Universität Kassel, Deutschland
  • Universität Würzburg, Technische Physik, UWUERZ, Deutschland
  • Elektronikabteilung des Politecnico di Torino, Italien
  • III-V Lab, Alcatel-Thales, Frankreich
  • Abteilung Electrical Engineering des israelischen Instituts für Technologie, Israel
  • Modulight Inc. Finnland
  • Merge Optics GmbH, Deutschland
  • Institut für Physik, Technische Universität Wroclaw, Polen