Mo­na­li­sa

Dieses Projekt ist eine nationale Kooperation unterstützt vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF), und der Titel lautet „Epitaxy of monolithically integrated III-V materials on silicon as light emitter“ (Monalisa). Dieses Projekt steuert auf einen Durchbruch in CMOS-kompatiblen Wachstumstechniken zur Erzeugung einer direkten Kombination von optisch hochqualitativen III-V Materialien auf Silizium. Nanostrukturierungstechniken und Selbstorganisationsphänomene sollen genutzt werden, um jetzige Hindernisse der nicht optimalen Kristallqualität aufgrund der hohen Gitterfehlanpassung zwischen III-V Materialien und Silizium zu überwinden.

Fünf Gruppen arbeiten in diesem Projekt mit verschiedenen Ansätzen, um das Endziel von hocheffizienten Leuchtdioden monolithisch integriert auf Silizium zu erreichen.

Diese Gruppen sind:

  • Paul Drude Institute of Solid State Electronics (PDI), Berlin (project coordinator)
  • Institute for Semiconductor Technology, University of Braunschweig
  • Institute of Nanostructure Technology and Analytics (INA), University of Kassel
  • Enterprise of Applied Micro- and Optoelectronics (AMO), Aachen
  • Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg

Die Gruppe am INA fokussiert hierbei selbstorganisiertes Wachstum durch Molekularstrahlepitaxie, um III-V Quantenpunkt-Strukturen in einer Silizium-Matrix zu entwickeln. Das finale Ziel hierbei ist, elektrisch gesteuerte Lichtemission auf Silizium zu erreichen.

Dieses Projekt ist finanziert von August 2008 bis Juli 2011.