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Neues Forschungsprojekt InnoPower-E startet am Fachgebiet Leistungselektronik
Das Fachgebiet Leistungselektronik beginnt die Arbeit am Forschungsprojekt “InnoPower-E”. Das Verbundvorhaben setzt sich die Erarbeitung und Analyse von Technologie- und System-Innovationen für die PV- und Batterie-Stromrichtertechnik kleiner Leistung als Ziel.
Das Fachgebiet LE wird im Teilvorhaben “Untersuchung innovativer hochstromfähiger Leistungswandler
unter Berücksichtigung neuartiger GaAs-Halbleitertechnologien" für die Leistungselektronik neuartige Halbleitertechnologien für den Einsatz in kleineren PV- und Batteriespeicher-Wechselrichtern untersuchen.
Die Universität Kassel wird im Teilvorhaben vorrangig neue Technologie-Ansätze und Lösungen für die Leistungselektronik im adressierten Anwendungsfeld erarbeiten und bewerten. Antworten auf begleitende Fragestellungen zu Möglichkeiten zum Embedding von Bauteilen, neue Leistungsmodul-Optionen und der zugehörigen Treiberlösungen sollen dabei erarbeitet werden.
Es sollen auch die möglichen Vorteile von Halbleitern basierend auf Gallium-Arsenid (GaAs) untersucht und mit Bauteilen des Projektpartners 3-5-Power praktisch erprobt werden. Dioden basierend auf GaAs versprechen höhere Stromtragfähigkeiten bei deutlich verringerten Verlusten in Bezug auf bekannten Si-Bauteilen. Dies kann besonders für die zu untersuchenden Hochsetzsteller mit Strömen zwischen 50A bis 100A von Vorteil sein.
Das Projekt hat eine Laufzeit von 3 Jahren und erhält eine Förderung in Höhe von 729.461,53 €. Gefördert wird das Projekt vom Bundesministerium für Wirtschaft und Energie unter der Förderkennziffer 03EE1237D.
Aktuelles
Neues Forschungsprojekt InnoPower-E startet am Fachgebiet Leistungselektronik
Das Fachgebiet Leistungselektronik beginnt die Arbeit am Forschungsprojekt “InnoPower-E”. Das Verbundvorhaben setzt sich die Erarbeitung und Analyse von Technologie- und System-Innovationen für die PV- und Batterie-Stromrichtertechnik kleiner Leistung als Ziel.
Das Fachgebiet LE wird im Teilvorhaben “Untersuchung innovativer hochstromfähiger Leistungswandler
unter Berücksichtigung neuartiger GaAs-Halbleitertechnologien" für die Leistungselektronik neuartige Halbleitertechnologien für den Einsatz in kleineren PV- und Batteriespeicher-Wechselrichtern untersuchen.
Die Universität Kassel wird im Teilvorhaben vorrangig neue Technologie-Ansätze und Lösungen für die Leistungselektronik im adressierten Anwendungsfeld erarbeiten und bewerten. Antworten auf begleitende Fragestellungen zu Möglichkeiten zum Embedding von Bauteilen, neue Leistungsmodul-Optionen und der zugehörigen Treiberlösungen sollen dabei erarbeitet werden.
Es sollen auch die möglichen Vorteile von Halbleitern basierend auf Gallium-Arsenid (GaAs) untersucht und mit Bauteilen des Projektpartners 3-5-Power praktisch erprobt werden. Dioden basierend auf GaAs versprechen höhere Stromtragfähigkeiten bei deutlich verringerten Verlusten in Bezug auf bekannten Si-Bauteilen. Dies kann besonders für die zu untersuchenden Hochsetzsteller mit Strömen zwischen 50A bis 100A von Vorteil sein.
Das Projekt hat eine Laufzeit von 3 Jahren und erhält eine Förderung in Höhe von 729.461,53 €. Gefördert wird das Projekt vom Bundesministerium für Wirtschaft und Energie unter der Förderkennziffer 03EE1237D.
Termine
Neues Forschungsprojekt InnoPower-E startet am Fachgebiet Leistungselektronik
Das Fachgebiet Leistungselektronik beginnt die Arbeit am Forschungsprojekt “InnoPower-E”. Das Verbundvorhaben setzt sich die Erarbeitung und Analyse von Technologie- und System-Innovationen für die PV- und Batterie-Stromrichtertechnik kleiner Leistung als Ziel.
Das Fachgebiet LE wird im Teilvorhaben “Untersuchung innovativer hochstromfähiger Leistungswandler
unter Berücksichtigung neuartiger GaAs-Halbleitertechnologien" für die Leistungselektronik neuartige Halbleitertechnologien für den Einsatz in kleineren PV- und Batteriespeicher-Wechselrichtern untersuchen.
Die Universität Kassel wird im Teilvorhaben vorrangig neue Technologie-Ansätze und Lösungen für die Leistungselektronik im adressierten Anwendungsfeld erarbeiten und bewerten. Antworten auf begleitende Fragestellungen zu Möglichkeiten zum Embedding von Bauteilen, neue Leistungsmodul-Optionen und der zugehörigen Treiberlösungen sollen dabei erarbeitet werden.
Es sollen auch die möglichen Vorteile von Halbleitern basierend auf Gallium-Arsenid (GaAs) untersucht und mit Bauteilen des Projektpartners 3-5-Power praktisch erprobt werden. Dioden basierend auf GaAs versprechen höhere Stromtragfähigkeiten bei deutlich verringerten Verlusten in Bezug auf bekannten Si-Bauteilen. Dies kann besonders für die zu untersuchenden Hochsetzsteller mit Strömen zwischen 50A bis 100A von Vorteil sein.
Das Projekt hat eine Laufzeit von 3 Jahren und erhält eine Förderung in Höhe von 729.461,53 €. Gefördert wird das Projekt vom Bundesministerium für Wirtschaft und Energie unter der Förderkennziffer 03EE1237D.